英飞凌OptiMOS™680VMOSFET树立领先AI服务器平台DC-DC功率转换效率新标准

    随着图形处理器（GPU）的性能日益强大，对板级电源的要求也越来越高。中间总线转换器（IBC）可将48V输入电压转换为较低的总线电压，这对于AI数据中心的能效、功率密度和散热性能愈发重要。英飞凌宣布，其采用紧凑型5x6mm²双面散热（DSC）封装的OptiMOS™680V功率MOSFET已被集成到一家领先处理器制造商AI服务器平台的IBC级。英飞凌igbt应用测试表明，其效率较之前使用的解决方案提高约0.4%，相当于每kW负载节省约4.3W。如果能扩展到系统层面，如服务器机架或整个数据中心，则将带来显著的节能效果。例如在一个拥有2,000个机架的超大规模数据中心推广该方案，每小时可节能1.2MWh以上，这相当于为25辆小型电动汽车充电所需的能量。该方案能够为数据中心运营商节约成本和减少碳足迹，具有显著的效益。
    由于AI计算需求不断增长，市场对高效功率管理解决方案的需求也将随之上升。英飞凌的OptiMOS™680V可满足日益增长的能效需求，提供适用于AI服务器IBC的高性能解决方案。该MOSFET采用5x6mm²DSC封装，在硬开关拓扑中拥有更好的开关性能，且通过降低导通损耗提高了能效。此外，这种紧凑型封装可实现双面散热，有助于改善热管理和提高功率密度，这对于空间有限的AI服务器环境至关重要。
    英飞凌拥有广泛的硅基功率MOSFET产品组合，其中的OptiMOS™680V专为满足AI服务器应用对性能、效率和集成度日益增长的需求而设计。该产品组合采用最新的MOSFET技术，并根据不同用途推出了多种型号，所有产品均针对不同的散热设计和系统要求进行了优化。英飞凌硅基功率MOSFET达到最高质量和保护标准，因此产品的可靠性、系统正常运行时间和电源稳定性均有保障。
    作为功率系统领域的领导者，英飞凌掌握全部三种半导体相关材料，推出了广泛的硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）产品组合。
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