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高介电常数Ta#-[2]O#-[5]基陶瓷的瞬时调控功率激光制备方法

  一种高介电常数ta#-[2]o#-[5]基陶瓷的瞬时调控功率激光制备方法,属于陶瓷材料制备领域。其特征在于,它包括以下步骤采用大功率激光作为直接辐照源原位或扫描辐照ta#-[2]o#-[5]基陶瓷坯体,以190~350w/cm#+[2]的低功率密度在30~185s时间内对ta#-[2]o#-[5]基陶瓷坯体进行激光辐照预热;预热结束后,调节激光功率密度瞬时升到烧结功率密度值850~ 1405w/cm#+[2],进行烧结;经过25~95s的烧结后,激光关光,样品冷却成瓷。本发明制备的ta#-[2]o#-[5]基陶瓷介电常数显著提高,介电损耗小,制备时间短,过程易于控制,工艺重复性高,可实现无污染烧结,制备样品的纯度高。


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