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化学气相沉积法是半导体工业中最为常用的沉积技术。其原理是将一种或多种气态物质导入到一个反应腔里进行化学反应,生成一种新的物质沉积在衬底表面。中科院化学研究所发明了一种方法。将带有催化剂的衬底放入无氧反应器中,使衬底温度达到500~1200℃,向所属反应容器充入含碳物质,得到石墨烯。催化剂为金属或金属化合物。可为金、银、铜、锌、铁、钴、镍、硫化锌、氧化锌、硝酸铁、氯化铁、氯化铜中的一种或任意组合。含碳物质可为一氧化碳、甲烷、乙炔、乙chun、苯、甲苯、环己烷或酞菁中的一种或任意组合。
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